据《中华人民共和国促进科技成果转化法》及《西安石油大学促进科技成果转移转化管理办法》（西石大科[2024]95号）规定，现拟将我校以下专利转让有关事项公示如下:

1、专利名称：一种负载型脱硫剂及其制备方法和应用

授权号：ZL202310914943.4

专利类型：发明专利

专利权人：西安石油大学

发明人：孟祖超;翟文新;李正辉

简 介：本发明公开了一种负载型脱硫剂及其制备方法和应用。该脱硫剂以泡沫镍（NF）为载体，通过溶解-结晶机制在其表面原位生成NiFe-MOFs纳米片阵列前驱体，再经原位硫化处理后，制得一种负载型多孔脱硫剂。本发明所制备的负载型脱硫剂具有较大的比表面积和孔道体积，显著提高了吸附剂的脱硫效率及硫容。同时，该脱硫剂具备良好的机械性能，克服了传统脱硫剂机械强度差、难以回收及再利用的不足，展现出优异的重复使用性能，有助于降低成本，在吸附脱硫领域具有广阔的应用前景。

受让方：河南知创九州科技有限公司

授权方式：专利转让

定价方式：协议定价

转让价格：10000元

2、专利名称：一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法

授权号：202510047982.8

专利类型：发明专利

专利权人：西安石油大学

发明人：郝敏如;陈丹婷;邵敏;张艳;周旬

简介：本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO2绝缘510层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO2绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO2绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上，本发明可以提高FeFET铁电特性及存储能力。

受让方：成都权翼知识产权运营有限公司

授权方式：专利转让

定价方式：协议定价

转让价格：5000元

公示时间：2026年4月10日--2026年4月24日

公示期间，如有异议，请以书面形式向学校反映。

联系人：钱兰

联系电话：029-88382397

邮 箱：kjc@xsyu.edu.cn